[发明专利]图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料在审

申请号：	202110891053.7	申请日：	2021-08-04
公开（公告）号：	CN115050633A	公开（公告）日：	2022-09-13
发明（设计）人：	翁明晖;郑雅如;张庆裕	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/033;G03F7/004
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	图案化光阻层方法紫外光光材料
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【说明书】：

一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料，在此叙述的光阻材料可包括具有一或多种配位基的多个种类的锡(Sn)簇合物。作为一实例，在此叙述的光阻材料可包括带有两个或以上不同种类的羧酸盐配位基的锡簇合物。作为另一实例，在此叙述的光阻材料可包括氧化锡簇合物，氧化锡簇合物包括碳酸根配位基。此两个或以上不同种类的羧酸盐配位基与碳酸根配位基可减少、最小化及/或防止在此叙述的光阻材料的结晶，从而可增加光阻材料的涂布效能并降低使用在此叙述的光阻材料所形成的光阻层的表面粗糙度。

技术领域

本揭示是关于一种图案化光阻层的方法及极紫外光光阻材料。

背景技术

由于半导体装置尺寸不断缩小，一些微影技术受到光学限制，从而造成解析度问题与微影性能的降低。相比之下，极紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影透过使用反射性光学元件与大约为13.5纳米或以下的辐射波长，从而可以实现更小的半导体装置尺寸及/或特征尺寸。

发明内容

本揭示的实施方式提供一种图案化光阻层的方法，包含形成一光阻层于一基板上方；曝光光阻层至辐射以形成一图案于光阻层中；以及在曝光光阻层至辐射之后显影图案。用以形成光阻层的一光阻材料包含多个锡簇合物及以下的至少一者：多个不同种类的有机配位基或多个无机配位基。

本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个锡簇合物以及锡簇合物的多个羧酸盐配位基，其中羧酸盐配位基包括两个或以上不同种类的羧酸。

本揭示的实施方式提供一种极紫外光光阻材料，其特征在于，包含多个氧化锡簇合物以及氧化锡簇合物的多个碳酸根配位基。

附图说明

本揭示的态样可由以下的详细叙述结合附图阅读来获得最佳的理解。应强调，根据工业标准实务，各特征并未按比例绘制，并且仅用于示意的目的。事实上，为了论述的清楚性，各特征的大小可任意地增加或缩小。

图1是一示例性环境的图，其内可实施在此叙述的系统及/或方法；

图2A至图2F是在此叙述的示例性实施方式的图；