[发明专利]一种增强氮化镓单晶生长温度场稳定性的方法在审
| 申请号： | 202110890107.8 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113584579A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张雷;王国栋 | 申请（专利权）人： | 中芯研（江苏）半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州博格华瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 32558 | 代理人： | 张燕 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强氮化镓单晶生长温度场稳定性的方法，包括：复合保温屏和设置在复合保温屏内的生长炉，生长炉内含有真空腔体，真空腔体外部设置有加热装置，加热装置包括上感应加热线圈和下感应加热线圈，使用时在真空腔体内通入氮气；复合保温屏包括括钨屏、钨螺栓和钨丝卡扣，复合保温屏由6～7个单层复合保温屏通过数个钨螺栓固定连接组成，且各单层复合保温屏之间用钨丝卡扣间隔固定，间距为6‑8mm，的单层复合保温屏由钨屏和其上沉积的AlN纤维层构成，本发明中复合保温屏的设置能为氮化镓单晶生长提供一个稳定的温场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 镓单晶 生长 温度场 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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