[发明专利]一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 202110879952.5 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113594248B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;贾艳江;孙涛;张成;邓思宇;魏杰;廖德尊;郗路凡;赵智家 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/872 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的双异质结GaN HEMT器件。通过嵌入具有极化结的肖特基势垒二极管(SBD)进行反向续流，与外部反向并联续流二极管的器件相比，该结构在降低器件反向导通压降和寄生效应的同时，显著减小了整个器件的面积；在正向阻断状态，AlGaN/GaN HEMT两个异质界面处留下带有正/负电性的固定极化电荷削弱电场尖峰，改善电场集中效应，调制器件漂移区电场，实现漂移区电场近似矩形的分布，提高器件击穿电压；在器件导通状态，利用二维电子气(2DEG)传输电流，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 集成 二极管 双异质结 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
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