[发明专利]磁性随机存储器及装置在审

专利信息
申请号: 202110873391.8 申请日: 2021-07-30
公开(公告)号: CN115701271A 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 赵巍胜;蔡文龙 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H10N52/00 分类号: H10N52/00;H10N50/10;H10N50/85;H10N52/85;H10B61/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;王涛
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种磁性随机存储器及装置,所述磁性随机存储器包括:种子层,具有第一晶向;自旋轨道矩配线层,设于所述种子层上,所述自旋轨道矩配线层的晶格结构受到所述种子层的作用而具有第二晶向,当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时,所述自旋轨道矩配线层形成面外方向的类阻尼矩;磁隧道结,设于所述自旋轨道矩配线层上,本发明可使自旋轨道矩配线层具有面外方向类阻尼矩的自旋轨道矩,且具有较大的电流‑自旋流转化效率(自旋霍尔角)既能提高翻转效率,也能够在翻转垂直磁各向异性磁矩时避免额外打破对称性的外加磁场。
搜索关键词: 磁性 随机 存储器 装置
【主权项】:
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