[发明专利]硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法在审
| 申请号： | 202110872638.4 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113937192A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 王伟;赵晓霞;宿世超;田宏波;王雪松;宗军;李洋 | 申请（专利权）人： | 国家电投集团科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 曲进华 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区未来科技城国*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅异质结太阳电池非晶硅钝化层的制备方法，包括如下步骤：a、向载有硅片的反应腔室内通入二氧化碳气体，沉积形成氧化硅钝化层；b、形成氧化硅钝化层后，向所述反应腔室内通入硅烷气体，沉积第一本征非晶硅薄膜；c、第一本征非晶硅薄膜形成后，向所述反应腔室内通入硅烷和氢气的混合气体，沉积第二本征非晶硅薄膜。本发明的方法能够在抑制外延的基础上降低对衬底表面的损伤，降低界面载流子复合，提高钝化效果，提高了电池开路电压和转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳电池 非晶硅 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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