[发明专利]非易失性静态随机访问存储器在审
| 申请号： | 202110868453.6 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114121094A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | B·C·保罗;S·R·索斯 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性静态随机访问存储器，揭示一种非易失性静态随机访问存储器(NV‑SRAM)单元的实施例。该NV‑SRAM单元包括静态随机访问存储器(SRAM)电路(例如，传统的高性能、高可靠性SRAM电路)。然而，为了在仍保留与SRAM电路操作相关联的优点的同时避免易失性，该NV‑SRAM单元还包括一对NVM电路。这些NVM电路在断电之前撷取储存于该SRAM电路的数据节点上的数据值，并在通电时将这些数据值重写回该SRAM电路的数据节点上。本发明还揭示一种操作存储器阵列中的选定NV‑SRAM单元的方法的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 静态 随机 访问 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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