[发明专利]工艺腔室和晶圆加工方法在审
| 申请号： | 202110863982.7 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN115692301A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 高晓丽;宋海洋;傅新宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 施敬勃 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种工艺腔室和晶圆加工方法，工艺腔室包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件，工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式，在第一工作模式下，第一顶针在第一停止位支撑第一晶圆，承载件上升至工艺位时，使第一压环和第一晶圆依次叠置于承载件上；在第二工作模式下，第二顶针支撑第二晶圆，第一顶针位于第二停止位，旋转支撑件将第二压环置于第一顶针上，承载件上升至工艺位时，使第一压环、第二压环和第二晶圆依次叠置于承载件上。采用上述工艺腔室加工不同尺寸的晶圆时，无需开盖，亦可以工作模式之间相互切换时的工作量相对较小，且对晶圆的加工进度产生的影响相对较小。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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