[发明专利]工艺腔室和晶圆加工方法在审
申请号: | 202110863982.7 | 申请日: | 2021-07-29 |
公开(公告)号: | CN115692301A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 高晓丽;宋海洋;傅新宇 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工艺 加工 方法 | ||
1.一种工艺腔室,其特征在于,包括腔室本体、承载件、内衬体、第一顶针、第二顶针、第一压环、第二压环和旋转支撑件,其中,
所述承载件可升降地设置于所述腔室本体中,所述承载件用于支撑尺寸不同的第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆的直径大于所述第二晶圆的直径;
所述内衬体安装于所述腔室本体,所述第一压环可活动地支撑于所述内衬体上,所述第一压环的内径尺寸大于所述第二压环的内径尺寸且小于所述第二压环的外径尺寸;
所述承载件上设有多个第一穿孔和多个第二穿孔,所述第一顶针和所述第一穿孔一一对应设置,所述第一顶针穿设于所述第一穿孔内,且具有穿过所述承载件的第一停止位和第二停止位,所述第二停止位相对所述承载件的高度高于所述第一停止位相对所述承载件的高度;
所述第二穿孔和所述第二顶针一一对应设置,所述第二顶针穿设于所述第二穿孔内;
所述工艺腔室具有第一工作模式和第二工作模式,在所述第一工作模式下,所述第一顶针在所述第一停止位支撑所述第一晶圆,所述承载件上升至工艺位时,使所述第一压环和所述第一晶圆依次叠置于所述承载件上;
在所述第二工作模式下,所述第二顶针支撑所述第二晶圆,所述第一顶针位于第二停止位,所述旋转支撑件将所述第二压环置于所述第一顶针上,所述承载件上升至工艺位时,使所述第一压环、所述第二压环和所述第二晶圆依次叠置于所述承载件上。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述旋转支撑件包括相互连接的支撑部和旋转部,所述第二压环可支撑于所述支撑部,所述支撑部设有避让口,所述避让口用以避让所述第一顶针,所述旋转部转动地安装于所述腔室本体,以驱动所述支撑部移动所述第二压环。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室,其特征在于,所述第二压环设有限位块,所述限位块固定于所述第二压环朝向所述支撑部的第一侧面,所述承载件和所述支撑部上均设有限位槽,所述限位块与所述限位槽在垂直于支撑方向的方向上限位配合。
4.根据权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述限位块为规则结构件,在所述支撑方向,且沿远离所述第一侧面的方向上,所述限位块的截面积逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室,其特征在于,所述限位槽在所述支撑方向,且沿远离所述限位槽的底部的方向上,所述限位槽的截面积逐渐变大。
6.根据权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述第一穿孔和所述第二穿孔均设置于所述承载件上相邻的两个所述限位槽之间,所述第一穿孔和所述第二穿孔沿径向间隔设置。
7.根据权利要求3所述的工艺腔室,其特征在于,所述支撑部包括环状本体和至少三个支座,所述环状本体设有所述避让口,各所述支座均连接于所述环状本体的内侧,且各所述支座上均设有所述限位槽。
8.根据权利要求7所述的工艺腔室,其特征在于,所述支座的数量为三个,且三个所述支座围成一锐角三角形。
9.根据权利要求1所述的工艺腔室,其特征在于,所述腔室本体中设有与反应腔连通的容纳空间,所述容纳空间位于所述承载件的外侧,用于在所述第一工作模式下,所述旋转支撑件停放所述第二压环。
10.一种晶圆加工方法,应用于权利要求1-9任意一项所述的工艺腔室,所述晶圆加工方法用于加工第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆的直径大于所述第二晶圆的直径,所述晶圆加工方法包括:
在工作模式为第一工作模式的情况下:
抬升第一顶针至第一停止位;
控制第一晶圆支撑于所述第一顶针;
抬升所述承载件至工艺位,且使第一压环和所述第一晶圆依次叠置于所述承载件上;
在工作模式为第二工作模式的情况下:
控制晶圆支撑于第二顶针;
抬升第一顶针至第二停止位;
控制旋转支撑件转动至第二压环支撑于所述第一顶针;
抬升所述承载件,且使第一压环、第二压环和第二晶圆依次叠置于所述承载件上。
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