[发明专利]一种低导通电阻高跨导的p-GaN HEMT器件在审
| 申请号： | 202110861761.6 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113540233A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑崇芝;信亚杰;段力冬;王方洲;孙瑞泽;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与p型buffer层之间形成等效的寄生电容，使器件栅源间寄生电容增大，从而提升器件的工作电流，也即降低器件的导通电阻。另外由于p型缓冲层的存在，使AlGaN/GaN界面三角势阱变窄，从而提升栅极控制2DEG沟道的能力，也即提升器件的跨导。研究结果表明，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，在同等量级击穿电压的条件下，导通电阻能够降低46.1％，跨导峰值提升26.9％。此外，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，除去本发明器件的buffer外延层需要p‑型掺杂外，后续器件制备工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 阻高跨导 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110861761.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
