[发明专利]一种非易失性存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110860442.3 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN115701219A | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 徐顺强;王浩;郭术明;张楠;龚才;黄勇;李侠 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括衬底、浮栅结构、硅化阻挡层及孔刻蚀阻挡层，其中，浮栅结构位于衬底上，浮栅结构包括自下而上依次堆叠的栅介质层与多晶硅层，并包括位于栅介质层及多晶硅层侧面的侧墙；硅化阻挡层位于衬底上并覆盖浮栅结构，硅化阻挡层的厚度大于35nm；孔刻蚀阻挡层位于衬底上并覆盖硅化物阻挡层。本发明通过增加多晶浮栅与孔刻蚀阻挡层之间的硅化阻挡层的厚度，能够有效地抑制浮栅电荷通过顶部介质的漏电，从而提高非易失性存储器的数据保持时间，数据保持时间可达85度下保持10年。另外，本发明的方案具有工艺复杂度较低、工艺成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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