[发明专利]基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法有效
| 申请号： | 202110854546.3 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113312204B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 廖莎;王荣生;鲍慧强;沈海锋;董服洋 | 申请（专利权）人： | 杭州阿姆科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法，当闪存颗粒中出现ECC不可纠的错误数据时，增强型纠错方法包括：S1、确定不可纠数据A的地址，设数据A在横向RAID行和纵向RAID行中的位置分别位于X和Y’，1≤X≤N，1≤Y’≤M’，对应的数据分别记为DATAX和DATAY’；S2、分别计算经过横向RAID行恢复和纵向RAID行恢复得到的值DRAID和DRAID’；S3、对数据A进行重读，得到新的数据DATANew，并对DATANew进行异或和位与计算得到数据DATAANew；S4、对得到的一帧新的数据再进行解码。本发明提高了SSD纠错算法的纠错能力和NAND颗粒的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双层 raid 信息 增强 纠错 方法 深度 | ||
【主权项】：
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