[发明专利]基于双层RAID信息的增强型纠错方法及深度纠错方法

权利要求书

1.一种基于双层RAID信息的增强型纠错方法，其特征在于，当闪存颗粒中出现ECC不可纠的错误数据时，采用的纠错方法包括如下步骤：

S1、确定ECC不可纠的数据A的地址，设该数据A在横向RAID行中的位置位于X，其中1≤X≤N，对应的数据记为DATAX，该数据A在纵向RAID行中的位置位于Y’，其中1≤Y’≤ M’，对应的数据记为DATAY’，所述DATAX和DATAY’都是数据A，为同一份数据；

S2、分别计算出经过横向RAID行恢复和纵向RAID行恢复计算得到的值DRAID和DRAID’，所述DRAID和DRAID’分别是对横向RAID行和纵向RAID行进行异或操作后得到的值；

DRAID的数据计算包括如下步骤：

根据横向RAID行的绑定规则和数据A的地址，计算出同一横向RAID行中除了数据A以外的其他所有数据的地址，包括该横向RAID行的校验码数据；

根据计算得到的地址，读出相应的数据，并将这些数据经过ECC纠错后的输出数据逐一进行异或操作，得到DRAID，所述DRAID的运算式如下：

DRAID=DXOR_H^DATA1^DATA2^…^DATA（X-1）^DATA（X+1）^…^DATAN

上式中，DXOR_H为横向RAID行的校验码数据，所述DXOR_H= DATA1^DATA2^DATA3^…^DATAN，其中N的数量不受限制，^表示按比特位异或；

DRAID’的数据计算包括如下步骤：

根据纵向RAID行的绑定规则和数据A的地址，计算出同一纵向RAID行中除了数据A以外的其他所有数据的地址，包括该纵向RAID行的校验码数据；

根据计算得到的地址，读出相应的数据，并将这些数据经过ECC纠错后的输出数据逐一进行异或操作，得到DRAID’，所述DRAID’的运算式如下：

DRAID’=DXOR_V^DATA1’^DATA2’^…^DATA（Y-1）’^DATA（Y+1）’^…^DATAM’

上式中，DXOR_V为纵向RAID行的校验码数据，所述DXOR_V=DATA1’^DATA2’^DATA3’^…^DATAM’，其中M’的数量不受限制，^表示按比特位异或；

S3、对于不可纠的数据A进行重读，得到新的数据DATANew，并对DATANew进行异或和位与计算得到数据DATAANew，DATAANew的计算公式为：

DATAANew=DATANew^((DRAID^DATANew)(DRAID’^DATANew))。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，在分别计算DRAID和DRAID’之前，将经过ECC纠错后的输出数据，无论是否出现ECC不可纠的情况，都逐一进行异或操作。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤S3之后还包括步骤S4，所述步骤S4包括：

对经过步骤S3处理得到的一帧新的数据DATAANew再进行ECC解码。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，经过ECC解码后，判断ECC解码是否成功：

若成功，直接返回正确的数据；

否则，返回解码失败的信息。