[发明专利]一种N型硅片P++结构的制作工艺在审
| 申请号： | 202110852908.5 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594299A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 欧文凯;董思敏;向亮睿 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源科技（徐州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
| 代理公司： | 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 | 代理人： | 范圆圆 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种N型硅片P++结构的制作工艺，采用台阶状分段升降温进行两次扩散，先在较低温度进行低温恒温第一次扩散，使硼原子均匀分布在硅片表面；而后升温并高温无氧推进，在硅片表面生成浅结轻掺杂区后，降温再进行低温第二次扩散，在硅片表面形成均匀的富硼层；通过激光SE在表面进行重掺杂，最后清洗硅表面，形成最终PN结，该PN结在SE区域为深结重掺杂，非SE区域为浅结轻掺杂；通过该制作工艺能达到降低硼源耗量、提升电性的收集效果的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 结构 制作 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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