[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110849437.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113471299B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋书森;张玉龙;吕文龙;崔景芹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti |
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| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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