[发明专利]一种纯相高性能CsPbBr3在审

专利信息
申请号: 202110846519.1 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113764534A 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 朱卫东;巴延双;张泽阳;张春福;陈大正;张进成;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/18
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种纯相高性能CsPbBr3太阳电池及其制备方法,所述制备方法包括:选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底;在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层,获得FTO/TiO2基底;在TiO2电子传输层上形成CsPb2Br5二维钙钛矿薄膜,获得FTO/TiO2/CsPb2Br5基底;利用CsBr水溶液通过原位相变将CsPb2Br5二维钙钛矿薄膜转变为CsPbBr3钙钛矿光吸收层,获得FTO/TiO2/CsPbBr3基底;在CsPbBr3钙钛矿光吸收层上沉积碳电极阳极,获得纯相高性能CsPbBr3太阳能电池。该制备方法基于原位相变,利用PbBr2和CsBr生成二维钙钛矿CsPb2Br5,而后通过原位相变方法将二维钙钛矿CsPb2Br5转变为纯相的三维钙钛矿CsPbBr3,依照该方法可以得到纯相的CsPbBr3薄膜,且制备工艺简单、成本较低。
搜索关键词: 一种 纯相高 性能 cspbbr base sub
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110846519.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top