[发明专利]一种纯相高性能CsPbBr3

权利要求书

1.一种纯相高性能CsPbBr₃太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底；

在所述FTO电极阴极上制备TiO₂电子传输层，获得FTO/TiO₂基底；

在所述TiO₂电子传输层上形成CsPb₂Br₅二维钙钛矿薄膜，获得FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底；

利用CsBr水溶液通过原位相变将所述CsPb₂Br₅二维钙钛矿薄膜转变为CsPbBr₃钙钛矿光吸收层，获得FTO/TiO₂/CsPbBr₃基底；

在所述CsPbBr₃钙钛矿光吸收层上沉积碳电极阳极，获得所述纯相高性能CsPbBr₃太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的纯相高性能CsPbBr₃太阳电池的制备方法，其特征在于，选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底，包括：

选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底，并将其依次放入Decon-90水溶液、去离子水、丙酮、无水乙醇中超声清洗15-30min；随后，将清洗过的该玻璃衬底放在UV-OZONE清洗仪中进行紫外臭氧处理15-30min。

3.根据权利要求1所述的纯相高性能CsPbBr₃太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述FTO电极阴极上形成TiO₂电子传输层，获得FTO/TiO2基底，包括：

将80-100μL的TiO₂溶胶在空气环境中以1500-3000rpm的转速在所述FTO电极阴极上表面旋涂30-60s；

在空气环境下450-550℃退火1-2h，形成厚度为50-80nm的TiO₂电子传输层，得到FTO/TiO₂基底。

4.根据权利要求1所述的纯相高性能CsPbBr₃太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述TiO₂电子传输层上形成CsPb₂Br₅二维钙钛矿薄膜，获得FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底，包括：

取摩尔比为1:20-1:2的CsBr固体和PbBr₂固体溶于二甲基甲酰胺溶液中，得到CsPb₂Br₅前驱体溶液；

在N₂气氛中，取80-100μL的CsPb₂Br₅前驱体溶液以1500-3000rpm转速在所述FTO/TiO₂基底上旋涂30-60s；

将旋涂有CsPb₂Br₅前驱体溶液的FTO/TiO₂基底置在80-100℃温度下退火30-40min，形成厚度为200-400nm的CsPb₂Br₅薄膜，得到FTO/TiO₂/CsPb₂Br₅基底。