[发明专利]异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110843254.X | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113571589B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 段小玲;王树龙;王刚;张进成;张涛;刘志宏;赵胜雷;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 61271 | 代理人： | 傅晓 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区包括“一”部和“1”部，“1”部包括与“一”部连接的第一连接端，以及与第一连接端相对设置的第二连接端，第二连接端通过漏区连接漏极，“1”部的两侧设置有两个栅极，两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质，栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置，且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等，栅极与第一异质介质高度相等，“一”部两侧分别设置有两个源极。 | ||
| 搜索关键词： | 异质栅 介质 异质结隧穿 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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