[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202110837490.0 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN115679277A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王世如;杨玉杰;董彦超;傅新宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 周永强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室，包括：腔室主体；基座，所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内，所述基座用于承载晶片；诱导磁组，所述诱导磁组设置于所述基座外侧，且所述诱导磁组与所述基座同步旋转，用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场；所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备，包括靶材、磁控装置和反应腔室，所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处，所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。本申请能够解决沉积薄膜磁各向异性较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
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