[发明专利]一种表面颗粒物少的晶片及其处理方法有效
| 申请号： | 202110835722.9 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113463191B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李加林;李斌;姜岩鹏;刘家朋;张宁 | 申请（专利权）人： | 上海天岳半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/20;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种表面颗粒物少的晶片及其处理方法，属于半导体材料制备技术领域。该晶片的厚度不低于100μm，所述晶片具有第一表层、中间层和第二表层；所述第一表层和/或第二表层中，粒径＞10μm的碳包裹体数量＜1个，粒径在5μm‑10μm的碳包裹体数量＜5个，粒径在1μm‑5μm的碳包裹体数量＜10个，粒径0.5μm‑1μm的碳包裹体数量＜20个，粒径在0.1μm‑0.5μm的碳包裹体数量＜50个；所述第一表层和第二表层中的碳包裹体数量小于所述中间层中的碳包裹体的数量，所述第一表层和第二表层的厚度为5‑20μm。将该晶片制备碳化硅晶体时，能够减少长晶过程中微管、多型、位错、空洞等缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 颗粒 晶片 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
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