[发明专利]一种外延结构和发光二极管有效
| 申请号： | 202110831413.4 | 申请日： | 2021-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN113659047B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 叶大千 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本申请公开一种外延结构和发光二极管，包括n型层、p型层和有源层，有源层包括In的具有第一峰形的第一浓度轮廓；重掺杂层位于n型层和有源层之间，且包括Si的具有第二峰形的第二浓度轮廓；电流扩展层位于重掺杂层和有源层之间，且包括In的具有第三峰形的第三浓度轮廓；第三峰形的峰顶与第一峰形的峰顶的最小距离为D |
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| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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