[发明专利]存储器结构的高效制造

摘要

本申请案是针对存储器结构的高效制造。可使用一系列制造步骤制造多层叠存储器装置，所述制造步骤包含沉积第一金属层、在所述第一金属层上沉积单元层以形成第一存储器层叠的存储器单元，及在所述单元层上沉积第二金属层。可使用单一沉积工艺而不是使用多个沉积工艺来沉积所述第二金属层。可在所述第二金属层上形成第二存储器层叠，使得来自所述第一层叠及所述第二层叠的堆叠存储器单元共享所述第二金属层的使用。对所述第二金属层使用单一沉积工艺可减少用于制造多层叠存储器阵列的制造步骤的数量并减少或消除单元材料暴露于金属蚀刻剂。