[发明专利]一种具有网格结构的双极功率晶体管有效

专利信息
申请号: 202110818413.0 申请日: 2021-07-20
公开(公告)号: CN113594239B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 黄宏嘉;林和;牛崇实;洪学天 申请(专利权)人: 弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司
主分类号: H01L29/732 分类号: H01L29/732;H01L29/08;H01L29/10
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 赵银萍
地址: 518000 广东省深圳市宝安区航城街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种具有网格结构的双极功率晶体管,包括:具有第一掺杂第二电阻和第二掺杂第一电阻的N型第一导电类集电极区域;具有网格式结构的N型第一导电类发射极区域;具有第三掺杂第四电阻和第四掺杂第三电阻的P型相反导电类基极区域;发射极区域覆盖连接基极区域多个单个的基极元件,集电极区域通过基极‑集电极p‑n结与基极区域相连接;第一掺杂杂质剂含量高于第二掺杂杂质剂含量,第三掺杂杂质剂含量高于第四掺杂杂质剂含量,第一电阻阻值大于第二电阻阻值,第三电阻阻值大于第四电阻阻值;集电极区域、基极区域和发射极区域分别通过欧姆接触和金属母线相连接;增加二次击穿耐性,降低基极‑发射极饱和电压值,安全工作区域显著扩大。
搜索关键词: 一种 具有 网格 结构 功率 晶体管
【主权项】:
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