[发明专利]遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110814988.5 申请日: 2021-07-19
公开(公告)号: CN113629083A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 方欣欣 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。本发明提供了一种图像传感器,包括:衬底;光电二极管,所述光电二极管位于所述衬底内部;介质层,所述介质层位于所述衬底内部并将所述光电二极管相隔开;存储器,所述存储器位于所述光电二极管之间;遮光结构,所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的反光板以及位于光电二极管上方横向的遮光板。本发明利用横向的遮光板阻止正入射及小角度入射光,利用纵向的反光板反射较大角度的斜入射光,由此来消除寄生光效应,降低图像传感器中寄生光对存储器的影响;反射回去的光可以被光电二极管吸收,从而进一步提高光电二极管的灵敏度。
搜索关键词: 遮光 结构 图像传感器 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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