[发明专利]使用背侧掩模层的管芯可追溯性在审
| 申请号： | 202110810929.0 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN114068312A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | D·R·柯里尔;D·G·希尔;F·R·克莱顿;A·J·马格纳斯;W·克拉斯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及使用背侧掩模层的管芯可追溯性。提供一种制造半导体装置的方法，用于在位于晶片背侧上的底层上沉积、图案化和显影光刻胶(1703、1704)，所述晶片具有前侧，在所述前侧上，集成电路管芯形成于共享晶片半导体衬底上并布置成网格，由此形成具有唯一的一组一个或多个开口的图案化光刻胶掩模，所述开口用于选择性地蚀刻所述底层以在每个集成电路管芯上在所述底层中形成与所述图案化光刻胶掩模中的所述唯一的一组一个或多个开口对应的蚀刻的开口的唯一管芯标记标识符图案(1705)，其中在单分所述晶片以形成各自包括唯一管芯标记的多个集成电路装置(1708)之前，从所述晶片的所述背侧移除所述图案化光刻胶掩模(1706)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 背侧掩模层 管芯 追溯 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110810929.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于具备动力传递装置的车辆的装置
- 下一篇：乘客输送机的链条伸长检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
