[发明专利]使用背侧掩模层的管芯可追溯性

权利要求书

1.一种用于制造集成电路管芯的方法，其特征在于，包括：

在位于晶片背侧上的底层上沉积光刻胶层，所述晶片包括相对前侧，在所述前侧上，多个集成电路管芯形成于共享晶片半导体衬底上并布置成网格；

图案化和显影所述光刻胶层以限定图案化光刻胶掩模，所述图案化光刻胶掩模包括所述图案化光刻胶掩模中用于每个集成电路管芯的唯一的一组一个或多个开口；

使用所述图案化光刻胶掩模选择性地蚀刻所述底层，以在每个集成电路管芯上在所述底层中形成与所述图案化光刻胶掩模中的所述唯一的一组一或多个开口对应的蚀刻的开口的唯一管芯标记标识符图案；

从所述晶片的所述背侧移除所述图案化光刻胶掩模；以及

将所述晶片单分以形成多个集成电路装置，其中在针对所述多个集成电路管芯中的每个集成电路管芯在所述底层中形成蚀刻的开口的所述唯一管芯标记标识符图案之后完成对所述晶片的单分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述共享晶片半导体衬底包括透明半导体材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于晶片的所述背侧上的所述底层是所述共享晶片半导体衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，另外包括在移除所述图案化光刻胶掩模之后在所述晶片的所述背侧上沉积金属层以填充所述底层中的蚀刻的开口的所述唯一管芯标记标识符图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于晶片的所述背侧上的所述底层是沉积在所述晶片的所述背侧上以形成穿半导体通孔结构的背侧金属层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，位于晶片的所述背侧上的所述底层是沉积在所述晶片的所述背侧上以覆盖穿半导体通孔结构的阻焊层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于每个集成电路管芯，所述底层中的蚀刻的开口的所述唯一管芯标记标识符图案定位成与在所述晶片的所述相对前侧中限定的观察区域对准，所述观察区域中不存在透过所述共享晶片半导体衬底光学检查所述底层中的蚀刻的开口的所述唯一管芯标记标识符图案的视觉阻挡。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成于每个集成电路管芯上的蚀刻的开口的所述唯一管芯标记标识符图案包括对于所述集成电路管芯是唯一的字母数字标签、条形码标签、二进制图案或管芯特定图案。

9.一种用于制作芯片装置的方法，其特征在于，包括：

在包括多个芯片的晶片的背侧上涂覆、图案化和显影光刻胶以形成具有多个唯一图案化掩模开口的图案化背侧光刻胶掩模；

使用所述图案化背侧光刻胶掩模在所述晶片的所述背侧上形成与所述多个唯一图案化掩模开口对应的唯一管芯标记标识符图案，其中所述唯一管芯标记标识符图案包括用于第一组一个或多个芯片的第一唯一图案和用于第二组一个或多个芯片的第二唯一图案；

从所述晶片的所述背侧移除所述图案化背侧光刻胶掩模以在适当位置留下所述唯一管芯标记标识符图案；以及

将所述晶片单分以形成多个芯片装置。

10.一种集成电路装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，其包括背侧表面和在上面形成集成电路装置特征的相对前侧表面；以及

图案化唯一管芯标记标识符，其形成于所述半导体表面的所述背侧表面上；

其中所述图案化唯一管芯标记标识符包括对于所述集成电路装置是唯一的并且不包括光刻胶的字母数字标签、条形码标签、二进制图案或管芯特定标记。