[发明专利]兼容锗硅探测器和薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片在审
| 申请号： | 202110803591.6 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113540063A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 刘亚东;蔡鹏飞;蘇宗一;潘栋 | 申请（专利权）人： | NANO科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;G02B6/12;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100000 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种兼容锗硅探测器和薄膜铌酸锂调制器的硅光集成芯片，包括：薄膜铌酸锂调制器以及单片集成在硅光集成芯片中的锗硅结构探测器。本发明采用混合集成方式将薄膜铌酸锂调制器集成到硅光集成芯片，完成集成后的集成芯片既拥有高速调制器，也具备高速探测器，可更好的满足未来通信对信号传输速率的要求；保证小型化的前提下大幅提升集成度；大大提高了调制效率和带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 兼容 探测器 薄膜 铌酸锂 调制器 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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