[发明专利]一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法在审
| 申请号： | 202110794980.7 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113475357A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈大卫 | 申请（专利权）人： | 陈大卫 |
| 主分类号： | A01G24/23 | 分类号： | A01G24/23;A01G24/20;A01G24/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 江苏省盐城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法，包括以下步骤：(1)富含硒溶液的制备、(2)种植基质原料制备以及(3)石斛种植基质的制备。本发明通过采用硒含量为25‑34ug/100g的新鲜桑葚果进行烘干并粉碎后制备成上清液，并将海蛤壳进行粉碎成末后制成混合原料后与制备的上清液进行混合得到种植基质原料，使该种植基质原料中富含大量的硒元素，从而在使用该种植基质对石斛进行种植时，能够使种植出来的石斛中含有微量元素硒，有效增加了企业石斛的竞争力，而且通过采用栋树木屑与海蛤壳粉末进行混合，使该种植基质较为松软，能很好的保护石斛的根部，以免受伤害，从而为石斛的正常生长提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍山 石斛 种植 基质 富含 独特 方法 | ||
【主权项】：
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