[发明专利]一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法在审
申请号: | 202110794980.7 | 申请日: | 2021-07-14 |
公开(公告)号: | CN113475357A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 陈大卫 | 申请(专利权)人: | 陈大卫 |
主分类号: | A01G24/23 | 分类号: | A01G24/23;A01G24/20;A01G24/22 |
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地址: | 224000 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 霍山 石斛 种植 基质 富含 独特 方法 | ||
1.一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)富含硒溶液的制备:将桑葚果采用60℃烘干18-20h得到桑葚干,再将桑葚干进行粉碎成末,加入1:1.5的清水混合搅拌1h,并在搅拌混合的过程中加入1:1.2的植物酵素,混合完成后,自然发酵24h后取上清液待用;
(2)种植基质原料制备:取栋树木屑10份、海蛤壳8份和0.5份40℃的清水,将海蛤壳碾碎成末后得到海蛤壳粉末,再将栋树木屑、海蛤壳粉末和清水按照1:0.8:0.02的比例进行混合并搅拌30min,得到混合原料;
(3)石斛种植基质的制备:将步骤(2)中的混合原料与步骤(1)中的上清液按照1:0.5-1的比例进行混合,并搅拌2h,得到种植基质原料,再将种植基质原料通过圆孔型筛板并挤压成型后,进行烘干,得到种植基质。
2.根据权利要求1所述的一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法,其特征在于:所述步骤(1)中的桑葚果为新鲜桑葚果,且桑葚果中的硒含量为25-34ug/100g。
3.根据权利要求1所述的一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法,其特征在于:所述步骤(3)中混合原料与上清液的混合比为1:0.5。
4.根据权利要求1所述的一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法,其特征在于:所述步骤(3)中混合原料与上清液的混合比为1:0.8。
5.根据权利要求1所述的一种让霍山石斛种植基质中富含硒的独特方法,其特征在于:所述步骤(3)中混合原料与上清液的混合比为1:1。
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