[发明专利]一种快恢复二极管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110794783.5 | 申请日： | 2021-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN113594262A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李学会;和巍巍;汪之涵;孙军 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快恢复二极管结构，包括自下而上层叠的下金属层、衬底、外延层、场氧化层及上金属层。所述外延层的导电类型与所述衬底相同，所述外延层上部形成阳极阱区、场限环及截止环，所述阳极阱区的导电类型与所述外延层相反，用于构成快恢复二极管结构的有源区，所述场限环与所述外延层的导电类型相反，用于构成快恢复二极管结构的终端耐压区，所述截止环的导电类型与所述阳极阱区及所述场限环的导电类型相同，用于截止耗尽层向外展宽，并隔离外界杂质离子。本发明还公开了一种快恢复二极管结构的制造方法，能够减少了光刻次数，节省制造成本，同时芯片可靠性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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