[发明专利]一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110793571.5 申请日: 2021-07-14
公开(公告)号: CN113501993B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 王凤超;董恒星;王陈飞;陈进;张灿云;孔晋芳;李澜;胡蓉蓉;张彦 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C08K13/02 分类号: C08K13/02;C08J7/06;C08L67/02;C08L23/06;C09D1/00;C09D5/22;C09K11/02;C09K11/66;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 顾艳哲
地址: 201418 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种Mn2+掺杂铯铅卤族钙钛矿量子点薄膜及其制备方法,制备方法包括:首先配制油酸、胺基/氨基配体、CsX、PbY2、MnZ2的混合溶液,得到前驱体溶液;之后将前驱体溶液与甲苯混合,得到钙钛矿量子点溶液;最后将薄膜衬底置于钙钛矿量子点溶液中并进行离心涂覆,干燥后即得到上述钙钛矿量子点薄膜。与现有技术相比,本发明采用室温一步离心涂敷制膜技术,成功制备出一种Mn2+掺杂CsPbX3(X=Cl,Br)钙钛矿量子点薄膜材料,该方法不仅使薄膜材料在很大程度上维持了量子点的发光性能,还具有操作简单、成本低等优点,且所制备的钙钛矿量子点薄膜材料结晶质量高、双光子发射强度大,使得该材料在照明、显示等光电器件领域具有较大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 mn2 掺杂 卤族 钙钛矿 量子 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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