[发明专利]一种MXene/C复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110792571.3 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113529047A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 孔思涛;焦云飞;罗薇;陈子博;韩旭然;赵翠娥;吴强;应世强;李谊;马延文 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京亿浦先进材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/50;C23C16/44;H01M4/66;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 范丹丹 |
| 地址： | 210046 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种MXene/C复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：S1：制备MXene片层；S2：用多元一体化镀碳装置对MXene片层进行镀碳，得到MXene/C复合材料。在所述S2步骤中，以MXene材料为基底，碳弧源进行沉积，制得MXene/C复合材料。本发明提供的多元一体化共沉积技术结合了磁过滤筛选技术、弧光放电技术和等离子体技术，制备的MXene/C复合材料厚度可调、简单方便、可大规模生产，适合应用于锂离子电池集流体等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mxene 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
