[发明专利]一种氮化硅强化的钨及钨合金材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110792307.X 申请日: 2021-07-13
公开(公告)号: CN113913664A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 乔竹辉;王鲁杰;李彤阳;于源;崔高熙;汤华国;刘维民 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所;烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院
主分类号: C22C27/04 分类号: C22C27/04;C22C32/00;C22C1/05;C22C1/10;B22F3/04;B22F3/10;B22F9/04
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 李魏英
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 一种氮化硅强化的钨及钨合金材料及其制备方法,包含以连续相存在的钨及其合金和弥散分布的氮化硅相,其中钨及其合金含量占材料总质量的65wt%~99.9wt%,金属钨的含量不低于钨及其合金总质量的70wt%;氮化硅相为氮化硅颗粒、氮化硅晶须、氮化硅纤维中的一种或多种,该氮化硅相的含量为材料总质量的0.1wt%‑35wt%。将钨及其合金粉体和氮化硅相粉体均匀混合后,在1000~2000℃温度下进行烧结,得到所需材料。本发明通过在钨合金制备过程中施加氮气气压,有效抑制金属钨与氮化硅结晶之间的化学反应,使得氮化硅结晶在烧结过程中能够有效保留下来,起到强化钨合金的作用,避免化学反应对钨合金有效成分的破坏。
搜索关键词: 一种 氮化 强化 合金材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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