[发明专利]一种深紫外LED封装方法有效
| 申请号： | 202110792197.7 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113437198B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李文博;孙钱;张智聪;杨勇;汤文君 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东（佛山）研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 黄志铖 |
| 地址： | 528225 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种深紫外LED封装方法，包括如下步骤：步骤一：将若干倒装或薄膜倒装芯片按设计放置于黏性薄膜上且芯片电极朝向远离黏性薄膜的方向；步骤二：在黏性薄膜上涂覆一层胶体材料并固化为胶体层，令芯片位于胶体层内；步骤三：刻蚀胶体层直至露出芯片电极；步骤四：剥离黏性薄膜；步骤五：剥离黏性薄膜后在胶体层远离芯片电极的一面沉积一层保护层；步骤六：将芯片与胶体层同步焊接在设置有电路的基板上。在本发明中，可将若干芯片按设计封置胶体层内，可实现深紫外LED的集成封装。芯片与胶体层同步焊接，提高深紫外封装可靠性与气密性，同时胶体层厚度与芯片相同，芯片表面仅沉积一层保护层，紫外光出射经过的介质层距离短，提高光的出射率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 方法 | ||
【主权项】：
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