[发明专利]一种高度取向的一维导电填料基TCF材料的制备方法有效
| 申请号： | 202110791926.7 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113555162B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李庆涛;周兵;冯跃战;韩高杰;刘春太 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B05D1/00;B05B12/12;H01B5/14 |
| 代理公司： | 郑州知劲专利代理事务所(普通合伙) 41193 | 代理人： | 黄龙 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料制备技术领域，特别涉及一种高度取向的一维导电填料基TCF材料的制备方法。所述制备方法，将作为基体的柔性膜负载或装配在可高速旋转的承载主体上，在承载主体旋转的过程中，将雾化后的一维导电纳米材料溶液均匀喷涂到柔性膜上。本发明方法构思巧妙，操作方便，作业高效且无污染，能够有效提高复合膜上一维导电纳米材料导电网络的有序排列分布，进而提高一维导电纳米复合膜的导电性能，同时可以有效分离一维导电纳米材料与溶剂，防止咖啡环现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 取向 导电 填料 tcf 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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