[发明专利]一种可产生热载流子弛豫效应的低维硅设计制备方法在审
| 申请号： | 202110786196.1 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113652747A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 严文生;臧月 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/12 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可产生热载流子弛豫效应的低维硅设计制备方法，包括S10，声子能带设计；S20，设计具有人工声子带隙的低维硅结构；S30，制备结构化的低维硅；S40，结构表征与功能化测量。本发明根据设计的具有人工声子带隙结构的低维硅结构，采用本发明的制备方法，可以实现结构规整、均一性好、高重复性的二维周期性硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生热 载流子 效应 低维硅 设计 制备 方法 | ||
【主权项】：
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