[发明专利]一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110785764.6 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113725006A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;成佳运;樊贞;张岩 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/08;H01G4/008;H01G4/002;H01G13/00;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/28;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝;潘慧馨 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器，所述硅基AlN电容器包括由下至上设置的硅基板、AlN介质薄膜和顶部电极，还包括Pt缓冲层，所述Pt缓冲层沉积于所述硅基板上，所述AlN介质薄膜沉积于所述Pt缓冲层上。本发明还涉及一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器的制备方法。本发明的技术方案可以解决现有AlN电容器中AlN介质层与硅基板之间的界面问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 漏电 aln 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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