[发明专利]双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法有效
| 申请号： | 202110784870.2 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113571586B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;杨敏 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法，通过对晶体管的源区和漏区形成具有施主掺杂和受主掺杂的两个分区，当两个信号输入端同时输入高电平或低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子导通状态或空穴导通状态，实现高电平输出，当两个信号输入端其中一个处于高电平而另一个处于低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子阻断且空穴阻断状态，实现低电平输出，从而使本发明所述的双掺杂源漏单晶体管，仅通过自身单独一个晶体管即实现了同或门逻辑，从而极大程度上降低了同或门的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 源漏单 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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