[发明专利]双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法

权利要求书

1.双掺杂源漏单晶体管同或门，包含SOI晶圆的硅衬底（1），其特征在于：SOI晶圆的硅衬底（1）上方为SOI晶圆的衬底绝缘层（2），SOI晶圆的衬底绝缘层（2）为绝缘材料层，SOI晶圆的衬底绝缘层（2）的上方为半导体薄膜区（3）、可互换N型源漏区a（4）、可互换P型源漏区a（5）、可互换N型源漏区b（6）、可互换P型源漏区b（7）、绝缘介质层（8）、栅电极绝缘层（9）、栅电极a（10）和栅电极b（11）；半导体薄膜区（3）为半导体材料，半导体薄膜区（3）的上表面和前后侧表面的左右两侧与栅电极绝缘层（9）相互接触；半导体薄膜区（3）的上表面和前后侧表面的中央部分与绝缘介质层（8）相互接触；

可互换N型源漏区a（4）和可互换P型源漏区a（5）分别为掺有N型杂质和P型杂质的半导体区域；可互换N型源漏区a（4）和可互换P型源漏区a（5）同时位于半导体薄膜区（3）的左侧，并与半导体薄膜区（3）相互接触；可互换N型源漏区a（4）的前侧表面和可互换P型源漏区a（5）的后侧表面与绝缘介质层（8）相互接触；可互换N型源漏区a（4）的后侧表面和可互换P型源漏区a（5）的前侧表面与防耗尽隔离层a（14）相互接触；防耗尽隔离层a（14）为绝缘介质材料；可互换N型源漏区a（4）和可互换P型源漏区a（5）的上表面的左侧与可互换源漏电极a（12）相互接触，可互换N型源漏区a（4）和可互换P型源漏区a（5）的上表面的右侧与绝缘介质层（8）相互接触；

可互换N型源漏区b（6）和可互换P型源漏区b（7）分别为掺有N型杂质和P型杂质的半导体区域；可互换N型源漏区b（6）和可互换P型源漏区b（7）同时位于半导体薄膜区（3）的右侧，并与半导体薄膜区（3）相互接触；可互换N型源漏区b（6）的前侧表面和可互换P型源漏区b（7）的后侧表面与绝缘介质层（8）相互接触；可互换N型源漏区b（6）的后侧表面和可互换P型源漏区b（7）的前侧表面与防耗尽隔离层b（15）相互接触；防耗尽隔离层b（15）为绝缘介质材料；可互换N型源漏区b（6）和可互换P型源漏区b（7）的上表面的右侧与可互换源漏电极b（13）相互接触，可互换N型源漏区b（6）和可互换P型源漏区b（7）的上表面的左侧与绝缘介质层（8）相互接触；

绝缘介质层（8）为绝缘介质材料；栅电极绝缘层（9）为绝缘介质材料，栅电极绝缘层（9）的左侧部分的上表面和前后侧表面与栅电极a（10）相互接触；栅电极绝缘层（9）的右侧部分的上表面和前后侧表面与栅电极b（11）相互接触；栅电极a（10）和栅电极b（11）为金属、合金、多晶硅或金属硅化物；栅电极a（10）与栅电极绝缘层（9）的左侧部分的上表面以及前后侧表面相互接触，栅电极a（10）通过栅电极绝缘层（9）与半导体薄膜区（3）彼此相互绝缘隔离，栅电极a（10）通过绝缘介质层（8）与可互换源漏电极a（12）和可互换源漏电极b（13）彼此绝缘隔离；栅电极b（11）与栅电极绝缘层（9）的右侧部分的上表面以及前后侧表面相互接触，栅电极b（11）通过栅电极绝缘层（9）与半导体薄膜区（3）彼此相互绝缘隔离，栅电极b（11）通过绝缘介质层（8）与可互换源漏电极a（12）和可互换源漏电极b（13）彼此绝缘隔离；栅电极a（10）与栅电极b（11）通过绝缘介质层（8）彼此绝缘隔离；可互换源漏电极a（12）为金属、合金或金属硅化物，可互换源漏电极a（12）的下表面与可互换N型源漏区a（4）和可互换P型源漏区a（5）的上表面的左侧相互接触并形成欧姆类型的反阻挡层接触；可互换源漏电极b（13）为金属、合金或金属硅化物，可互换源漏电极b（13）的下表面与可互换N型源漏区b（6）和可互换P型源漏区b（7）的上表面的右侧相互接触并形成欧姆类型的反阻挡层接触。