[发明专利]一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 202110784527.8 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN115621355A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 童洪波;李华;刘继宇 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 付珍;王胜利 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以便于去除硅基底表面携带的杂质、脏污。该硅基底的处理方法包括如下步骤：提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；第一面具有层叠的第一氧化层、镀膜工艺绕镀产生的绕隧穿层和绕非晶硅层；采用第一湿法去除工艺去除硅基底的绕非晶硅层；保持去除绕非晶硅层的硅基底始终处于湿润状态，采用第二湿法去除工艺去除第一氧化层和绕隧穿层。本发明提供的硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基底 处理 方法 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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