[发明专利]一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以便于去除硅基底表面携带的杂质、脏污。该硅基底的处理方法包括如下步骤：提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；第一面具有层叠的第一氧化层、镀膜工艺绕镀产生的绕隧穿层和绕非晶硅层；采用第一湿法去除工艺去除硅基底的绕非晶硅层；保持去除绕非晶硅层的硅基底始终处于湿润状态，采用第二湿法去除工艺去除第一氧化层和绕隧穿层。本发明提供的硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法。

背景技术

在太阳能电池的制作过程中，往往有多个工序为去除工艺。例如，制作pn结所产生的氧化层，制作钝化接触结构所产生的绕镀层，均需要通过去除工艺去除。

先去除绕镀层，后去除氧化层的过程中，在先的去除工艺容易在硅基底上形成残留物。这些硅基底上的残留物去除难度较大，会影响硅基底质量和工作效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基底的处理方法、太阳能电池及其制作方法，以便于去除硅基底表面携带的残留物。

第一方面，本发明提供一种硅基底的处理方法。该硅基底的处理方法包括如下步骤：

提供一硅基底，该硅基底具有相对的第一面和第二面；第一面具有层叠的第一氧化层、镀膜工艺绕镀产生的绕隧穿层和绕非晶硅层；

采用第一湿法去除工艺去除硅基底的绕非晶硅层；

保持去除绕非晶硅层的硅基底始终处于湿润状态，采用第二湿法去除工艺去除第一氧化层和绕隧穿层。

采用上述技术方案时，采用第一湿法去除工艺去除硅基底的绕非晶硅层、采用第二湿法去除工艺去除第一氧化层和绕隧穿层的过程中，以及第一湿法去除工艺和第二湿法去除工艺之间，保持去除绕非晶硅层的硅基底始终处于湿润状态。此时，硅基底的表面具有较多的水分。当经过第一湿法去除工艺去除绕非晶硅层后，硅基底携带杂质、脏污时，这些杂质、脏污与硅基底表面的水分混合在一起，处于游离状态，从而可以避免杂质、脏污干化后牢固的附着在硅基底表面。在后续的第二湿法去除工艺或其他清洗工艺中，处于游离状态且湿润的杂质、脏污可以较容易的被冲走，清洗干净。基于此，在硅基底的处理过程中，保持去除绕非晶硅层的硅基底始终处于湿润状态，便于清洗硅基底表面的杂质、脏污，进而可以提高硅基底的清洁程度，提高硅基底的处理效率和硅基底的质量。

与现有技术中，在第一湿法去除工艺和第二湿法去除工艺之间，进行HF清洗、水洗和吹干相比，本发明的硅基底的处理方法，一方面，省略了HF清洗、水洗和吹干的工序，工艺简单，生产成本较低。另一方面，可以避免吹干工艺中干掉的杂质、脏污牢固附着在硅基底的情况，使得硅基底表面的杂质、脏污便于清洗。

在一些实现方式中，上述第一湿法去除工艺的设备为链式单面去除设备，链式单面去除设备选自滚轮式单面刻蚀设备、履带式单面刻蚀设备。此时，链式单面去除设备，可以对硅基底进行单面处理，仅去除硅基底第一面的绕非晶硅层，不对硅基底的第二面进行处理，从而可以较好的保护硅基底第二面的半导体结构。

在一些实现方式中，上述第一湿法去除工艺的设备为浸没式刻蚀槽。

在一些实现方式中，上述第一湿法去除工艺的刻蚀剂为碱性溶液，其中，碱性溶液包括KOH、NaOH或有机碱试剂中的至少一种。此时，碱性溶液能与非晶硅材料进行化学反应，从而可以去除绕非晶硅层。与此同时，碱性溶液不与氧化物材料反应，或与氧化物材料反应极慢，可以避免第一湿法去除工艺对硅基底第一面和第二面pn结及功能性结构的破坏。与硝酸等酸性刻蚀剂相比，碱性溶液不仅价格较低，而且废水处理成本较低，可以降低生产成本。