[发明专利]包括折射结构的像素感测器及其形成方法在审
| 申请号： | 202110776833.7 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN114628417A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈威霖;周俊豪;李国政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包括折射结构的像素感测器及其形成方法，像素感测器可包括该像素感测器的一基板中的一主深沟槽隔离(DTI)结构及一或多个子DTI结构，以增大该像素感测器在较大入射角下的量子效率。该一或多个子DTI结构可定位于该主DTI结构的周边内且一光电二极管上方。该一或多个子DTI结构可用以提供入射光的自大的入射角至该光电二极管中的一行进路径在于，该一或多个子DTI结构可填充有一氧化物材料以增大至该一或多个子DTI结构中的光穿透。此情形可减小该基板的一顶表面处的反射，借此准许入射光折射至该基板中且折射朝向该光电二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 折射 结构 像素 感测器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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