[发明专利]一种P型背接触太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202110773829.5 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113659033A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 石强;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/22;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：选用P型硅片，将硅片进行制绒；硅片正面进行磷扩散；硅片进行湿法刻蚀；硅片正面镀SiOx/SiNx膜；硅片背面制备N型导电区；硅片背面镀AlOx/SiNx膜；硅片背面进行激光消融，以去除N型导电区的局部区域；硅片正面及背面进行清洗；在硅片背面的激光消融区域氧化生成氧化硅层；硅片背面金属化。本发明提供的P型背接触太阳能电池的制备方法制备的P型背接触太阳能电池可以提升转换效率，且无需传统P型背接触太阳能电池的制备方法中多次沉积掩膜及多次清除掩膜的繁琐工艺，缩短了工艺路线，从而大大降低了电池的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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