[发明专利]一种P型背接触太阳能电池的制备方法

说明书

本发明适用太阳能电池加工技术领域，提供了一种P型背接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：选用P型硅片，将硅片进行制绒；硅片正面进行磷扩散；硅片进行湿法刻蚀；硅片正面镀SiOx/SiNx膜；硅片背面制备N型导电区；硅片背面镀AlOx/SiNx膜；硅片背面进行激光消融，以去除N型导电区的局部区域；硅片正面及背面进行清洗；在硅片背面的激光消融区域氧化生成氧化硅层；硅片背面金属化。本发明提供的P型背接触太阳能电池的制备方法制备的P型背接触太阳能电池可以提升转换效率，且无需传统P型背接触太阳能电池的制备方法中多次沉积掩膜及多次清除掩膜的繁琐工艺，缩短了工艺路线，从而大大降低了电池的制作成本。

技术领域

本发明涉及太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种P型背接触太阳能电池的制备方法。

背景技术

IBC(Interdigitated Back Contact)电池，即叉指状背接触电池，最早在1975年被提出，是一种将发射区电极和基区电极均设置于电池背面的新型结构电池。由于IBC电池的正、负电极交叉排列在电池背面，且电池正面没有任何电极的遮挡，有效地避免了电极在电池正面造成的遮光损失，且光照面没有任何金属复合的影响，能大大提升电池的转换效率。其中，P型硅片叠加IBC结构即形成P型IBC电池，是目前研究的热点技术。

现有技术中，由于P型背接触太阳能电池的P型硅片少子寿命低，PN结又处于背面，载流子运输路径长，复合问题较为严重而影响电池转换效率。为了提升电池转换效率，P型背接触太阳能电池在制备过程中需要在硅片正面制作钝化膜来降低载流子复合速率，但电池钝化效果仍不理想，导致电池转换效率低；同时，传统的P型背接触太阳能电池的制备工艺过程中需要多次沉积掩膜并需要多次清除掩膜，工艺繁琐，使P型背接触太阳能电池工艺路线长，制造成本高。

发明内容

本发明提供一种P型背接触太阳能电池的制备方法，旨在解决现有技术的P型背接触太阳能电池制备方法存在制得的P型背接触太阳能电池转换效率低，且制备工艺繁琐，工艺路线长，导致制造成本高的问题。

本发明是这样实现的，本发明提供一种P型背接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

选用P型硅片，将硅片进行制绒；

硅片正面进行磷扩散；

硅片进行湿法刻蚀；

硅片正面镀SiOx/SiNx膜；

硅片背面制备N型导电区；

硅片背面镀AlOx/SiNx膜；

硅片背面进行激光消融，以去除所述N型导电区的局部区域；

硅片正面及背面进行清洗；

在硅片背面的激光消融区域氧化生成氧化硅层；

硅片背面金属化：在硅片背面对应所述激光消融区域形成正电极，在硅片背面对应所述N型导电区形成负电极。

优选的，所述硅片背面制备N型导电区的步骤包括：

硅片背面进行磷扩散，以在硅片背面形成N+发射结。

优选的，所述硅片正面进行磷扩散后，所述硅片正面方阻控制在250～400Ω/sqr，硅片表面的磷原子浓度为1×10¹⁹～8×10¹⁹/cm³，结深控制在120～300nm。

优选的，所述SiOx/SiNx膜包括位于底层的SiOx膜、及位于外层的SiNx膜；所述SiOx/SiNx膜底层的所述SiOx膜的厚度为5～10nm，所述SiOx/SiNx膜外层的所述SiNx膜的厚度为70～100nm。