[发明专利]高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法及其制品在审
| 申请号： | 202110773486.2 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115602780A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 丁肇诚;郭浩中 | 申请（专利权）人： | 抱朴科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 史瞳;谢琼慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，包括：(a’)移除磊晶基板以裸露出覆晶式发光二极管晶粒的出光侧；(a)对已移除磊晶基板的覆晶式发光二极管晶粒的出光侧施予图案化处理，以在出光侧形成微米级至纳米级的图案；(b)于出光侧的微米级至纳米级的图案内填入波长转换构件，波长转换构件是选自量子点或尺寸介于微米至纳米间的荧光粉；(c)以原子层沉积法在所述波长转换构件上沉积保护层，令保护层覆盖出光侧的微米级至纳米级的图案与波长转换构件。图案化处理是实施在已移除磊晶基板的覆晶式发光二极管晶粒的出光侧，不存在有业界所诟病的散热阻碍，能在解决散热问题的前提下利用微米级至纳米级的图案与波长转换构件降低光子全反射率以提升出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 高出光率 覆晶式 发光二极管 装置 制法 及其 制品 | ||
【主权项】：
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