[发明专利]高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法及其制品

权利要求书

1.一种高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：其包含以下步骤：

步骤(a’)，移除磊晶基板以裸露出覆晶式发光二极管晶粒的出光侧；

步骤(a)，对已移除该磊晶基板的覆晶式发光二极管晶粒的出光侧施予图案化处理，以在该出光侧形成微米级至纳米级的图案；

步骤(b)，于该出光侧的微米级至纳米级的图案内填入波长转换构件，所述波长转换构件是选自量子点或尺寸介于微米至纳米间的荧光粉；及

步骤(c)，以原子层沉积法在所述波长转换构件上沉积保护层，令该保护层覆盖该出光侧的微米级至纳米级的图案与波长转换构件。

2.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该步骤(a)是实施湿蚀刻或干蚀刻。

3.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该步骤(a)的微米级至纳米级的图案是凹坑、凸块，或凹坑及凸块的组合。

4.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该微米级至纳米级的图案是由具有该出光侧的磊晶膜的多个晶面所共同定义而成。

5.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该步骤(b)是经由喷印技术或旋涂技术将含有所述波长转换构件的溶液涂覆于该出光侧的微米级至纳米级的图案。

6.根据权利要求5所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该溶液含有所述波长转换构件、有机溶剂、光敏材料与分散剂。

7.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：该步骤(c)的保护层是由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅，或氧化锗所构成。

8.根据权利要求1所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置的制法，其特征在于：于该步骤(c)后还包含步骤(d)，该步骤(d)是于该保护层上形成波长调变层，且该波长调变层是由氮化物、氮氧化物或硒化物所构成。

9.一种高出光率的覆晶式发光二极管装置，其特征在于：包含：

覆晶式发光二极管晶粒，包括已移除磊晶基板且具有微米级至纳米级的图案的出光侧；

波长转换构件，填置于该微米级至纳米级的图案内，且所述波长转换构件是选自量子点或尺寸介于微米至纳米间的荧光粉；及

保护层，由原子层沉积法所制得且沉积在所述波长转换构件上以覆盖该出光侧的微米级至纳米级的图案与波长转换构件。

10.根据权利要求9所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置，其特征在于：该微米级至纳米级的图案是凹坑、凸块，或凹坑及凸块的组合。

11.根据权利要求9所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置，其特征在于：该微米级至纳米级的图案是由具有该出光侧的磊晶膜的多个晶面所共同定义而成。

12.根据权利要求9所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置，其特征在于：该保护层是由金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅，或氧化锗所构成。

13.根据权利要求9所述的高出光率的覆晶式发光二极管装置，其特征在于：所述高出光率的覆晶式发光二极管装置还包含波长调变层，该波长调变层是形成于该保护层上，且是由氮化物、氮氧化物，或硒化物所构成。