[发明专利]半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置在审
| 申请号： | 202110773197.2 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115602238A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 郑宇廷 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件的测试方法与测试装置，该测试方法包括：根据第一保留时间范围与第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据；根据第二保留时间范围与第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据；根据第一测试数据与第二测试数据确定保留时间测试不通过的存储单元的位置以及对应的测试值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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