[发明专利]半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置

说明书

本公开提供了一种半导体器件的测试方法与测试装置，该测试方法包括：根据第一保留时间范围与第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据；根据第二保留时间范围与第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录该存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据；根据第一测试数据与第二测试数据确定保留时间测试不通过的存储单元的位置以及对应的测试值。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)包括用于储存数据的多个存储单元，每个存储单元可以包括晶体管和电容器，晶体管用作数据向存储单元的流动以及数据从存储单元的流动的门控，电容器用于以电荷的形式来储存数据。然而，储存在每个存储单元的电容器中的初始电荷可能因在MOS晶体管的典型PN结中出现泄漏电流而逐渐消失，从而导致数据的丢失，这些存储单元称为可变保持时间(VRT，variableretention time)存储单元。

一般而言，存储器件在封装过程期间具有不同的过程变量和不同特性。例如，在封装过程期间，不同的存储器件或存储器的不同存储区可以暴露于高温，而其他存储器件可以暴露于低温。这种变量对在存储器件中发生VRT错误的可能性产生很大的影响，在存储器件中可以以不同的比率发生VRT错误。

因此，需要将存储器件中的VRT存储单元通过测试准确地确定出来。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开实施例的目的在于提供一种半导体器件的测试方法与半导体器件的测试装置，提高了测试保留时间的效率和准确性。

根据本公开实施例的一个方面，提供了一种半导体器件的测试方法，该测试方法包括：

预设第一保留时间范围与第一步长；

根据所述第一保留时间范围与所述第一步长形成多个测试值，根据从小到大的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第一测试数据；

预设第二保留时间范围与第二步长；

根据所述第二保留时间范围与所述第二步长形成多个测试值，根据从大到小的多个所述测试值依次对半导体器件中的多个存储单元进行测试；确定各所述测试值对应的测试中保留时间小于测试值的存储单元，并记录保留时间小于测试值的存储单元的位置以及对应的测试值，形成第二测试数据；

根据所述第一测试数据与所述第二测试数据确定保留时间测试不通过的存储单元的位置以及对应的测试值。

在本公开的一种示例性实施例中，所述预设第一保留时间范围与第一步长，包括：

预设保留时间、步长及多个测试环境温度；

在多个测试环境温度下，分别根据保留时间与步长对半导体器件中采用保留时间与步长的多个存储单元进行测试，获取测试数据；

根据测试数据与保留时间及步长，预设第一保留时间范围与第一步长。

在本公开的一种示例性实施例中，所述预设第二保留时间范围与第二步长，包括：

预设保留时间、步长及多个测试环境温度；