[发明专利]表面声波元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110771314.1 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115603693A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘鸿辉;蔡世鸿;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种表面声波元件及其制作方法，其中该制作表面声波元件的方法为，首先形成一缓冲层于基底上，然后形成一高速层于缓冲层上，形成一中速层于高速层上，形成一低速层于该中速层上，形成一压电层于该低速层上，再形成一电极于压电层上。其中缓冲层包含氧化硅，高速层包含石墨烯，中速层包含氮氧化硅且低速层包含氧化钛。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 声波 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110771314.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
