[发明专利]表面声波元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110771314.1 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115603693A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 刘鸿辉;蔡世鸿;林俊贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 声波 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种制作表面声波元件的方法，其特征在于，包含：
形成高速层于基底上；
形成中速层于该高速层上；
形成低速层于该中速层上；
形成压电层于该低速层上；以及
形成电极于该压电层上。
2.如权利要求1所述的方法，另包含于形成该高速层之前形成缓冲层于该基底上。
3.如权利要求2所述的方法，其中该缓冲层包含氧化硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中该高速层包含石墨烯。
5.如权利要求1所述的方法，其中该高速层包含碳化硼。
6.如权利要求1所述的方法，其中该高速层包含氮化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其中该中速层包含氮氧化硅。
8.如权利要求1所述的方法，其中该中速层包含氮碳氧化硅。
9.如权利要求1所述的方法，其中该低速层包含氧化钛。
10.如权利要求1所述的方法，其中该低速层包含碳氧化硅。
11.一种表面声波元件，其特征在于，包含：
高速层，设于基底上；
中速层，设于该高速层上；
低速层，设于该中速层上；
压电层，设于该低速层上；以及
电极，设于该压电层上。
12.如权利要求11所述的表面声波元件，另包含缓冲层设于该基底与该高速层之间。
13.如权利要求12所述的表面声波元件，其中该缓冲层包含氧化硅。
14.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该高速层包含石墨烯。
15.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该高速层包含碳化硼。
16.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该高速层包含氮化硅。
17.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该中速层包含氮氧化硅。
18.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该中速层包含氮碳氧化硅。
19.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该低速层包含氧化钛。
20.如权利要求11所述的表面声波元件，其中该低速层包含碳氧化硅。
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