[发明专利]一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202110765243.4 申请日: 2021-07-06
公开(公告)号: CN113555460B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 李京波;王小周;赵艳;齐红基;高歌 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: H01L31/108 分类号: H01L31/108;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 李园园
地址: 311400 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法,探测器包括:氧化镓衬底、氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层、若干肖特基接触电极、欧姆接触电极和若干金属导电电极,氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层位于氧化镓衬底上,若干肖特基接触电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表层中,若干金属导电电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表面上,欧姆接触电极位于氧化镓衬底下。该探测器在紫外光照射下,镓纳米粒子产生等离激元共振效应,使其表面电场增强,散射截面增大,与氧化剂材料之间发生能量及热电子转移,大幅增强氧化镓基探测器对日盲光的探测能力,提升探测器的响应灵敏度。
搜索关键词: 一种 氧化 镓肖特基结 紫外 探测器 制备 方法
【主权项】:
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