[发明专利]一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法有效
申请号: | 202110765243.4 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113555460B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 李京波;王小周;赵艳;齐红基;高歌 | 申请(专利权)人: | 浙江芯科半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李园园 |
地址: | 311400 浙江省杭州市富*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法,探测器包括:氧化镓衬底、氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层、若干肖特基接触电极、欧姆接触电极和若干金属导电电极,氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层位于氧化镓衬底上,若干肖特基接触电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表层中,若干金属导电电极间隔分布在氧化镓‑镓纳米粒子复合有源层的表面上,欧姆接触电极位于氧化镓衬底下。该探测器在紫外光照射下,镓纳米粒子产生等离激元共振效应,使其表面电场增强,散射截面增大,与氧化剂材料之间发生能量及热电子转移,大幅增强氧化镓基探测器对日盲光的探测能力,提升探测器的响应灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 镓肖特基结 紫外 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的